[23p-P07-1~7] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[23p-P07-3] Effect of Thermal Annealing on Electric Characteristics in GaInSb HEMT Structure

〇Rikuto Yoshida¹, Munemasa Kunisawa¹, Koharu Hatori¹, Reo Ebihara¹, Issei Watanabe^2,1, Ryuto Machida², Yoshimi Yamashita², Shinsuke Hara², Akifumi Kasamatsu², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.Tokyo Univ. of Science, 2.NICT)

Keywords:HEMT

本研究では、GaInSbチャネルHEMT作製プロセス時の熱処理によるエピ結晶への影響を明らかにする目的で、AlInSb/GaInSb 量子井戸構造（HEMT構造）の電気的特性への熱処理の影響を調べた。