[23p-P07-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23p-P07-4] X線回折極点図測定を用いたGaInSb HEMT構造中の双晶評価

〇海老原 怜央¹、國澤 宗真¹、羽鳥 小春¹、吉田 陸人¹、渡邊 一世^2,1、町田 龍人²、山下 良美²、原 紳介²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)

キーワード：高電子移動度トランジスタ

本研究では貫通転位と同じ結晶欠陥の一種である双晶の{111}面のピーク評価をX線回折(XRD)極点図測定を用いて行い、その抑制方法について検討した。