[23p-P07-1~7] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23p-P07-5] 1μm帯広帯域高強度発光InGaAs薄膜の成長条件の検討

〇祝出 航佑¹、尾崎 信彦¹ (1.和歌山大学シス工)

キーワード：広帯域光源、光干渉断層計、近赤外光