[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-11] 低蛍光強度の透明導電膜の形成

〇守護 理高¹、清水 麻希¹、土方 泰斗¹、相川 慎也²、森 峻² (1.埼玉大工、2.工学院大工)

キーワード：透明導電膜、酸化インジウムスズ、NVセンタ

近年，NVセンタの電荷等の制御やマイクロ波を印加する用途で導電膜下のNVセンタ計測の需要が高まっているが,透明導電膜自体が発光すると,NVセンタの蛍光に紛れてしまい，測定困難になる。そこで本研究では，ITOとその母材となるIn₂O₃について，低蛍光強度となる成膜条件について調べた。
その結果，酸素分圧を上げると蛍光強度が低くなるが，抵抗率は高くなった。また,アニールを行わない膜が本目的には適していることがわかった。