[23p-P12-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[23p-P12-13] OES investigation of ZnO molecule in Zn-O₂ mixture plasma for low-resistance TCF

〇Naoyuki Sato¹, Tihomir Cuzovic¹, Kaito Yonemura¹, Reisuke Fujita¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:Transparent Conductive Film, ZnO, ZnO molecule

環境透明導電膜（TCF）の低抵抗化に向けて，アンドープZnO材料からのプラズマ合成を行っている．これまで，最小のシート抵抗R_s = 1.7 Ω/□を得ている．OES観察を通して，ZnO分子の同定を行っており，更なる低抵抗化には，電子温度が低下する程，多量のZnが蒸発している低気圧Zn-O₂混合プラズマにおいて，ZnO分子の発生とTCF薄膜への混入を抑制することが重要と考えている．