[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-2] β-Ga₂O₃(-201)表面における Ni 吸着構造の STM 観察

〇(B)竹本 利々子¹、岡田 有史¹、角野 広平¹ (1.京工繊大工芸)

キーワード：酸化ガリウム、STM観察、Ni蒸着

β-Ga₂O₃上に別の物質を成長させる際に欠陥のない界面を作るためには，成長初期過程を理解することが重要である．本研究では，β-Ga₂O₃表面におけるNiO成長初期過程のモデル系として(-201)面にNiを蒸着し，超高真空中で走査トンネル顕微鏡を用いて観察を行った．少量の蒸着では，試料表面のステップ-テラス構造は保持されており，清浄表面と同様のストライプ構造を持つテラスと粒子状のNiが観察された．