[23p-P12-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[23p-P12-4] Growth of single-crystaline ZnO layer by sputter epitaxy method(Ⅱ)

〇Ryota Misawa¹, Hyuga Kimura¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki UUniv.)

Keywords:Sputter epitaxy, ZnO

我々は、超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，ZnO層のエピタキシャル成長を行っている.前回，基板温度を900˚C程の比較的高温領域で成長したZnO層において，(0002)面におけるXRC FWHM値が30 arcsec以下を示す報告をした． 今回は，基板温度900˚C で成長したZnO層の，膜厚の依存性について検討を行ったので， その結果について報告する．