[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-4] スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長（Ⅱ）

〇三澤 亮太¹、木村 日向¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大学工)

キーワード：スパッタエピタキシー、酸化亜鉛

我々は、超高真空（UHV）高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，ZnO層のエピタキシャル成長を行っている.前回，基板温度を900˚C程の比較的高温領域で成長したZnO層において，(0002)面におけるXRC FWHM値が30 arcsec以下を示す報告をした． 今回は，基板温度900˚C で成長したZnO層の，膜厚の依存性について検討を行ったので， その結果について報告する．