[23p-P12-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[23p-P12-5] Growth of single-crystalline ZnO layer by sputter epitaxy method(III)

〇Hyuga Kimura¹, Ryota Misawa¹, Keisuke Yoshida¹, Hiroyuki Shinoda¹, Nobuki Mutsukura¹ (1.Tokyo Denki Univ.)

Keywords:Sputter epitaxy, ZnO

我々はこれまで，スパッタリング法によりZnO層のヘテロエピタキシャル成長を行ってきたが，p型の伝導性を有するZnO層の作製には至っていない．p型化には欠陥密度の減少が必要であり，結晶の更なる高品質化が不可欠である．今回は0.02°と0.2°のオフ角基板を用いて成長したZnO層の結晶性等について報告する．