[24a-D113-1~5] 8.5 プラズマ現象・新応用・融合分野

[24a-D113-2] イオンビーム誘起CVD法の、酸化ケイ素と窒化ケイ素の成膜への応用

〇吉村 智¹、杉本 敏司¹、竹内 孝江²、木内 正人¹ (1.阪大工、2.奈良女大理)

キーワード：酸化ケイ素、窒化ケイ素、イオン

近年、イオンビーム誘起CVD（IBICVD)法の、ナノスケールの立体構造形成、磁気媒体の開発、などへ応用研究が注目されている。本研究では、この手法を、酸化ケイ素または窒化ケイ素の成膜へ応用することが可能かどうか、検討した。IBICVD法では、原料ガスを基板に吹き付け、そこに同時にイオンビームを照射する。今回、原料としては、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルジシラン、TEOSを用いた。イオンには、酸素と窒素イオンを用いた。酸素イオンビームは、炭酸ガスをプラズマ化し、このプラズマから酸素イオンのみを質量分離で抽出して生成した。窒素イオンビームは、窒素プラズマから同様に生成した。原料ガスとともに、酸素または窒素イオンを基板に照射する実験を行った結果、それぞれ、酸化ケイ素または窒化ケイ素の成膜に成功した。