[24a-D316-1~9] CS.7 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス、15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎のコードシェアセッション

△ [24a-D316-1] ナノワイヤ縦型共鳴トンネル電界効果型トランジスタの作製

〇田井 良樹¹、蒲生 浩憲¹、本久 順一^1,2、冨岡 克広^1,2 (1.北大情報科学院、2.量子集積センター)

キーワード：共鳴トンネル効果、電界効果型トランジスタ

共鳴トンネル電界効果型トランジスタ(RTFET)は、共鳴トンネル効果によるバリスティック輸送と急峻なサブスレッショルド特性を実現可能な次世代トランジスタ候補である。しかしながら、ヘテロ接合界面のミスフィット転位が問題となり、平面型2重障壁構造は格子整合系材料の組み合わせに限られることから、RTFETの報告例は少ない。
本研究では、ナノワイヤ構造を応用した縦型RTFETの作製に初めて成功し、その出力特性が室温で負性微分抵抗特性を示すことを明らかにしたのでここに報告する。