[24a-E102-1~10] 17.3 層状物質

△ [24a-E102-3] W前駆体としてn-BuNC-W(CO)₅を用いた低温有機金属化学気相成長法によるWS₂の作製

〇張 桐永¹、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、若林 整⁴、横川 凌^1,2、澤本 直美^1,2、小椋 厚志^1,2 (1.明治大、2.再生可能エネルギー研究インスティテュート、3.気相成長株式会社、4.東工大)

キーワード：WS2、MOCVD、低温成膜

二硫化タングステン（WS₂）は代表的な二次元積層材料であり、適度に広いバンドギャップ（単層 : 2.03 eV、バルク: 1.32 eV）や優れた安定性などの好ましい性質から、様々な分野での応用研究が活発に行われている。特に、大面積、数層のWS₂は、次世代LSIのMOSFETのチャネル材料として高い可能性を持っている。本研究ではタングステン前駆体としてn-BuNC-W(CO)₅を、硫黄前駆体として(t-C₄H₉)₂S₂を用いWS₂成膜を行い、およびその特性を評価した。