[24a-E102-1~10] 17.3 層状物質

[24a-E102-5] 簡易熱化学気相成法による二硫化タングステンの合成と薄膜化

〇大橋 史隆¹、白井 一磨²、菅井 俊甫²、関谷 和志¹、ラフール クマル¹、ジャ ヒマンシュ¹、久米 徹二^1,2 (1.岐阜大工、2.岐阜大院工)

キーワード：半導体、二次元材料、遷移金属ダイカルコゲナイド

6族の遷移金属ダイカルコゲナイド(transition metal dichalcogenide: TMDC)の多くは半導体であり、その二次元構造や高いキャリア移動度を持つことから、ガスセンサーや電子デバイスなどへの応用が期待されている[1,2]。これらの材料は一般に、熱化学気相(CVD)や原子層体積(ALD)法など高価な真空装置や、長時間高温熱処理が必要なことから、デバイス作製へのハードルは大きい。本研究では二硫化タングステン(WS₂)に注目し、低コストかつ簡便に薄膜状に作製可能な方法として、小型のステンレス密閉容器を用いた熱CVD法を採用した。