[24a-E102-1~10] 17.3 層状物質

△ [24a-E102-6] 共スパッタ法によるZr_xHf_1-xS₂混晶の作製

〇花房 秀政¹、日比野 祐介^2,4、横川 凌^1,4、若林 整³、小椋 厚志^1,4 (1.明治大、2.佐世保高専、3.東工大、4.明治再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：混晶、スパッタリング

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）は、様々なデバイスへの応用が期待されている二次元層状物質である。我々は超薄膜領域での移動度が高いZrS₂ およびHfS₂ に注目し、さらに物性値の変調を期待してZr_xHf_1-xS₂混晶の成膜に挑戦している。一方、ZrS₂、HfS₂はともに化学的に不安定で容易に酸化されるため、未だ混晶膜の報告例がない。本研究ではZrS₂および金属Hfターゲットを用いた共スパッタ法によりZrHfS₂混晶膜成膜を行った結果を報告する。