[24a-E105-1~10] 12.7 医用工学・バイオチップ

△ [24a-E105-4] ゲート接地型ISFETおよびステンレス容器とのダイヤモンド電解質
溶液ゲートFETによる室温および高温(80 ℃)におけるpHセンシング

〇野本 玲於奈¹、川口 柊斗¹、佐藤 弘隆¹、寳田 晃翠¹、張 育豪¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、半導体、pH検知

本研究ではゲート接地によるpHセンシング法を提案する。ゲート接地では、ドレイン電圧V_DG = 0においてFETが飽和領域に達するため、ソース電圧V_SGのみの駆動でセンシング可能となる。ゲートを共通とした、ソースドレインFETプローブのマルチセンシングに向け、ゲート接地型ISFETおよびダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのpH感応性の測定を行った。