2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[24a-E106-1~11] 3.7 レーザープロセシング

2022年3月24日(木) 09:00 〜 12:00 E106 (E106)

細川 陽一郎(奈良先端大)、藤原 英樹(北海学園大)

09:45 〜 10:00

[24a-E106-4] 加工閾値近傍でのピコ秒レーザー誘起Si上DLC膜の構造評価

〇高林 圭佑1、三村 一暉2、富田 卓朗2、高橋 孝3、小林 洋平4、山口 誠1 (1.秋田大理工、2.徳島大理工、3.産総研・東大オペランドOIL、4.東大物性研)

キーワード:ラマン分光法、レーザーアブレーション、ピコ秒レーザー

ピコ秒レーザー照射による非晶質炭素膜の構造をラマン分光法により評価した.DLC膜をSi基板上に厚さ100 nm程度成膜したものを試料とし,DLC面に波長1.03 mm,繰り返し周波数1 MHz,パルス幅3.1 psのファイバーレーザーを照射した.フルエンスは0.2 J/cm2,パルス数105ショットである.照射中心にて得られたラマンスペクトルでは,DLCに起因するピークの形状変化が観測された.