[24a-E106-1~11] 3.7 レーザープロセシング

[24a-E106-4] 加工閾値近傍でのピコ秒レーザー誘起Si上DLC膜の構造評価

〇高林 圭佑¹、三村 一暉²、富田 卓朗²、高橋 孝³、小林 洋平⁴、山口 誠¹ (1.秋田大理工、2.徳島大理工、3.産総研・東大オペランドOIL、4.東大物性研)

キーワード：ラマン分光法、レーザーアブレーション、ピコ秒レーザー

ピコ秒レーザー照射による非晶質炭素膜の構造をラマン分光法により評価した．DLC膜をSi基板上に厚さ100 nm程度成膜したものを試料とし，DLC面に波長1.03 mm，繰り返し周波数1 MHz，パルス幅3.1 psのファイバーレーザーを照射した．フルエンスは0.2 J/cm²，パルス数10⁵ショットである．照射中心にて得られたラマンスペクトルでは，DLCに起因するピークの形状変化が観測された．