[24a-E106-1~11] 3.7 Laser processing

[24a-E106-4] Evaluation of structural changes in DLC films on Si induced by picosecond laser irradiation around the ablation thresholds

〇Keisuke Takabayashi¹, Kazuki Mimura², Takuro Tomita², Takashi Takahashi³, Yohei Kobayashi⁴, Makoto Yamaguchi¹ (1.Akita Univ., 2.Tokushima Univ., 3.AIST-UTokyo OPERANDO-OIL, 4.ISSP Univ. of Tokyo)

Keywords:Raman spectroscopy, laser ablation, picosecond laser

ピコ秒レーザー照射による非晶質炭素膜の構造をラマン分光法により評価した．DLC膜をSi基板上に厚さ100 nm程度成膜したものを試料とし，DLC面に波長1.03 mm，繰り返し周波数1 MHz，パルス幅3.1 psのファイバーレーザーを照射した．フルエンスは0.2 J/cm²，パルス数10⁵ショットである．照射中心にて得られたラマンスペクトルでは，DLCに起因するピークの形状変化が観測された．