[24a-E204-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[24a-E204-1] PtO_x/ZnOショットキー接合の界面近傍におけるドナー濃度とその起源について

〇(M2)松村 美貴也¹、田中 貴久¹、内田 建¹ (1.東大院工)

キーワード：ZnO、ショットキーダイオード、ドナー

本研究ではZnO単結晶基板に対して，貴金属酸化物電極PtO_xを成膜することでショットキーダイオードを作製した。ZnO単結晶のキャリア密度をホール評価によって調べるとともに，ショットキーダイオードの容量－電圧特性，過渡容量特性から，ダイオード界面におけるドナーの濃度と種類を明らかにし，バルクにおけるドナー濃度と比較することで，ダイオード界面の不純物濃度が高いことを明らかにした。