[24a-E204-1~8] 6.3 Oxide electronics

[24a-E204-3] Study of threshold switching device using sputtered NbOx film

〇Sota Namamura¹, Rintaro Hatanaka¹, Tomohiro Shimizu¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹ (1.Kansai Univ. Graduate School.)

Keywords:threshold switching

絶縁体金属相転移現象を採用した閾値スイッチング素子は、人工ニューロンとしての応用可能性があり、近年注目されている。
本研究ではNbOxを絶縁体層にもつ素子を作製し、素子の電流電圧特性を調べ、閾値スイッチング特性が得られる条件を探索した。