[24a-E205-1~11] 9.4 Thermoelectric conversion

[24a-E205-8] Fabrication of amorphous ZnSnO thin film and its thermoelectric properties

〇(B)Kotaro Minami¹, Komatsubara Yuki¹, Ishibe Takahumi¹, Nakamura Yoshiaki¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:Thermoelectric material, Transparent amorphous oxide semiconductor, Thermal conductivity

透明熱電材料の高性能化に向けては、高出力因子、低熱伝導率の同時実現が求められ、熱伝導率低減戦略としてアモルファス化は有力な手法である。そこで我々は、高環境調和性でかつ比較的大きなs軌道を有するSnによる高移動度が期待されるが、熱電特性未報告なアモルファスZnSnOに注目した。本研究では、アモルファスZnSnO薄膜を作製し、その熱電特性を明らかにした。