[24a-E205-1~11] 9.4 熱電変換

[24a-E205-8] アモルファスZnSnO薄膜の作製とその熱電特性

〇(B)南 鼓太郎¹、小松原 祐樹¹、石部 貴史¹、中村 芳明¹ (1.大阪大学)

キーワード：熱電材料、透明アモルファス酸化物半導体、熱伝導率

透明熱電材料の高性能化に向けては、高出力因子、低熱伝導率の同時実現が求められ、熱伝導率低減戦略としてアモルファス化は有力な手法である。そこで我々は、高環境調和性でかつ比較的大きなs軌道を有するSnによる高移動度が期待されるが、熱電特性未報告なアモルファスZnSnOに注目した。本研究では、アモルファスZnSnO薄膜を作製し、その熱電特性を明らかにした。