[24a-E205-1~11] 9.4 熱電変換

[24a-E205-9] エピタキシャルCaSi₂薄膜中のシリセンバックリング構造変形による熱電出力因子増大

〇寺田 吏¹、上松 悠人¹、石部 貴史¹、成瀬 延康²、Nguyen Tien Quang³、佐藤 和則³、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.滋賀医科大学、3.阪大院工)

キーワード：熱電変換、薄膜、層状物質

環境に優しい元素で構成されたIV族系熱電薄膜がIoTセンサ用の自立型電源として注目されている。高い熱電変換性能を実現するには高い出力因子と熱伝導率が必要である。本研究では、CaSi₂結晶に内包されたシリセン（二次元Si）構造を変形させることで大幅に出力因子を増大することに成功した。本講演では、CaSi₂薄膜中のシリセン構造変形が熱電特性に与える影響について実験・理論両面から詳述する。