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[24a-E206-2] i-a-Si中間層を有するペロブスカイト太陽電池の作製
キーワード:ペロブスカイト太陽電池
MAPbI3太陽電池の耐久性向上のため、MAPbI3/キャリア輸送層間へのCat-CVD i-a-Si中間層の利用を、シミュレーション、実験の両面から検討した。シミュレーションの結果により、従来構造と同程度の高い変換効率が得られることを確認した。作製した素子のJscとVocは従来の構造と比べ大幅に低下しているが、発電していることを確認した。また、i-a-Siの膜厚依存性から、中間層の薄膜化と界面欠陥の低減により、素子の高性能化が期待される。