[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24a-E302-1] ミストCVD法により堆積したAl₂O₃絶縁膜の評価とmist-Al₂O₃/AlGaN/GaN MOS-HEMTへの応用

〇(M1)本山 智洋¹、浦野 駿²、バラトフ アリ²、中村 有水¹、葛原 正明³、アスバル ジョエル²、谷田部 然治¹ (1.熊本大、2.福井大、3.関学大)

キーワード：ミストCVD、GaN、HEMT

AlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート絶縁膜としてALD法によるAl₂O₃薄膜を用いることが多い。本研究では原料溶液の超音波霧化と熱分解反応により、大気圧下で酸化物薄膜が低コストで堆積可能なミストCVD法をAlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート絶縁膜堆積プロセスに応用し、mist-Al₂O₃/AlGaN/GaNダイオードを試作、評価を行ったので報告をする。