[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24a-E302-12] GaN/SiO₂界面のホールトラップの原因の理論的究明とその対策

〇服部 柊人¹、長川 健太²、押山 淳²、白石 賢二^2,1 (1.名大工、2.名大未来研)

キーワード：GaN、ホールトラップ、MOSFET

電力効率・動作速度の優れた次世代パワーデバイスであるGaN-MOSFETの研究開発が、現在盛んに行われている。その中でGaN/SiO₂界面の特性を調べる実験が行われ、界面に多量のホールトラップの存在が報告されている。我々は第一原理MD計算によってGaN/SiO₂界面のホールトラップの原因は界面のGa-O-Si結合中のOのlone pairであることを解明した。また、このホールトラップは界面へのAlの挿入で抑制できることを理論的に示した。