[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24a-E302-13] SiO₂/β-Ga₂O₃(001)のバンドダイアグラムの成膜後アニールによる変化の検討

〇武田 大樹¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：β-Ga2O3、バンドダイアグラム、バンドアライメント

光電子分光によりアニール条件を変えた時のβ-Ga₂O₃(001)のMOS構造のバンドダイアグラムの違いを評価した。UPSで評価したアニール前、O₂、N₂、H₂アニール後のイオン化ポテンシャルは8.2~8.4eVであった。SiO₂成膜後のO₂アニールを600℃3hrまたは1000℃1hrで変化させたSiO₂/ β-Ga₂O₃(001)の価電子帯オフセットの大きさをXPSで評価した。600℃の場合と1000℃の場合を比較すると、アニールを高温化することにより価電子帯オフセットは0.3eV程度小さくなり、UPSで見られたアニールによる変化より大きかった。