[24a-E302-1~13] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24a-E302-2] Mist-Al₂O₃と ALD-Al₂O₃を絶縁膜とした AlGaN/GaN MIS-HEMTs

〇浦野 駿¹、アスバル ジョエル¹、ロウ ルイシャン¹、ムハンマド ファリス¹、石黒 真輝¹、永瀬 樹¹、バラトフ アリ¹、本山 智洋²、中村 有水²、葛原 正明³、谷田部 然治² (1.福井大、2.熊本大、3.関学大)

キーワード：窒化ガリウム、AlGaN/GaN HEMT、MIS

AlGaN/GaN MIS HEMTのゲート絶縁膜として用いられるAl₂O₃は、通常、アルミニウム前駆体として高発火性のトリメチルアルミニウムを用い、真空条件下で原子層堆積(ALD)法により堆積される 。最近、低コストかつ環境に優しいmist-CVD法によるAl₂O₃薄膜の作製が報告されている 。そこで本研究では、ゲート絶縁膜としてmist-Al₂O₃とALD-Al₂O₃を用いたMIS-HEMTを作製し電気的特性を評価したので報告をする。