[24a-F307-1~8] 6.4 薄膜新材料

[24a-F307-3] GCIB援用蒸着法で堆積したアモルファス炭素膜の軟X線発光分光分析

宮本 黎美¹、西山 昭雄²、吉川 亮太²、田口 純志²、〇小松 啓志¹、齊藤 信雄¹、齋藤 秀俊¹ (1.長岡技科大、2.野村鍍金)

キーワード：GCIB援用蒸着法、アモルファス炭素膜、軟X線発光分光分析

ガスクラスターイオンビーム(GCIB)援用蒸着法は，基板上に堆積させた蒸着粒子にガスクラスターイオンビームを照射することで薄膜を合成する手法である ．本手法では，製膜時にガスクラスターイオン加速電圧とガスクラスター源供給量を変更することが可能である．本研究では，アモルファス炭素膜をGCIB援用蒸着法によりSi基板上に堆積した.ガスクラスターイオン加速電圧とガスクラスター源供給量が膜中の炭素の結合状態にどのような変化をもたらすかを，原子が有する価電子のエネルギー状態に関する情報を得る分析手法である軟X線発光分光分析により明らかにした．