[24a-F307-1~8] 6.4 Thin films and New materials

[24a-F307-6] N-O Co-Doped Sb2Te3 Phase-Change Material for High Performance Artificial Synaptic Device

〇Koji Niiyama¹, You Yin¹ (1.Gunma Univ.)

Keywords:Artificial Synaptic Device

近年、認知的な情報処理が行える人工知能は非常に注目されている。しかしながら、これらの多くは機械学習に基づいた従来のアーキテクチャによって構成されているため、高速な情報処理が困難であり、消費電力が大きくなるといった課題がある。これらの問題を解決するため、脳のようなシステムは非常に有望視されている。脳のような情報処理を行うためには、ニューロンや シナプスを模倣したデバイスを開発する必要がある。これまで、硫化物、酸化物、カルコゲナイド相変化材料といった材料から脳型システムの構成要素である人工シナプスの機能実現が報告されている。本研究では、相変化シナプス素子の高性能化のため、機能材料の一つとして知られるカルコゲナイド Sb2Te3の保持力を向上させ、N-OコドープSb2Te3を開発した。