[24a-F407-1~10] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[24a-F407-9] Development of thermal switching devices consisting of Ag₂S based semiconducting materials

〇(M1)Tomoya Maruchi¹, Keisuke Hirata¹, Masaharu Matsunami¹, Tsunehiro Takeuchi¹ (1.TTI)

Keywords:heat flow switching device, lattice thermal conductivity, electron thermal conductivity

格子熱伝導度が著しく小さな半導体材料としてAg₂S系材料を用いて，電場により電子熱伝導度を制御する熱流スイッチング素子の開発に取り組んだ．分子線蒸着法を用いて組成を精密に制御した多結晶Ag₂S系材料からなる薄膜素子を作製した．時間領域サーモリフレクタンス法を利用して素子の評価を行った結果，2倍を超える大きな熱流変化を観測することに成功した．