[24p-D215-1~7] CS.2 3.5 レーザー装置・材料、3.14 光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション

△ [24p-D215-4] 高効率スクイーズド光発生に向けたLiNbO₃/GaN横型擬似位相整合波長変換デバイスの設計

〇(DC)野呂 諒介¹、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：半導体、強誘電体、波長変換

スクイーズド光源と電界印加型マッハツェンダー干渉計の集積により高速・安定な光量子計算に応用できる。GaNは大きな光学非線形性と不純物ドーピングにより高導電性を示すため上記応用の材料として有力だが、GaNのみを用いたスクイーズド光発生デバイスで十分なスクイージングレベルを得るには100 mW以上の強励起が必要である。励起強度を下げるためにGaNを下層、LiNbO₃を上層としたデバイスの設計を行った。