[24p-D316-1~11] 1.3 新技術・複合新領域

[24p-D316-5] Al₂O₃を絶縁膜として用いたGaAs系MISFETの評価

〇(B)辻 祐樹¹、禹 泰圭¹、林 翔平¹、前田 讓治¹、板谷 太郎²、天野 健² (1.東理大電電、2.産総研)

キーワード：原子層堆積法、Al2O3、GaAs MISFET

原子層堆積法で形成されたAl₂O₃膜をゲート絶縁膜としたMISFETの動作が確認された。