[24p-E105-1~13] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

△ [24p-E105-1] HfO₂系強誘電体における分極反転ダイナミクスの膜厚依存性

〇(M2)沢辺 慶起¹、更屋 拓哉¹、平本 俊郎¹、小林 正治^1,2 (1.東京大学生産技術研究所、2.東京大学 d. lab)

キーワード：強誘電体メモリ、HfO2系強誘電体

HfO₂系強誘電体メモリは低電力、大容量という観点で需要が増加しているメモリ市場にて有望な候補とされている。この強誘電体材料をデバイスへ応用するためには、強誘電体薄膜のスイッチング動特性について理解し、その最適な材料設計を行うことが重要である。本研究では、HfO₂系強誘電体キャパシタを用いて、分極反転の動特性について膜厚依存性を定量的に評価し、HfO₂系強誘電体層の薄膜化がデバイスに与える影響を示す。