[24p-E105-1~13] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[24p-E105-13] Observation of Polarization Domain Structure of HfO₂ Films using Direct Piezoelectric Response Microscopy

〇Takuto Hagiwara¹, Yukinori Morita², Hiroyuki Ota², Shinji Migita², Norifumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Pref. Univ., 2.AIST)

Keywords:HfO2, Polarization domain structure

CMOSプロセスと親和性の高いHf系強誘電体薄膜は、アナログメモリとして期待される強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)への応用に向けて研究されている。アナログメモリ動作の起源となる分極ドメイン反転挙動の理解は重要な課題だが、主要な手法である圧電応答力顕微鏡(PFM)を極薄膜試料に適用することは困難である。そこで本研究では正圧電応答顕微鏡法(DPRM)による分極ドメイン観察に取り組んだ。