[24p-E105-1~13] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

△ [24p-E105-4] Hf_xZr_1-xO₂強誘電体を用いたGe MFIS構造の界面特性が分極反転挙動に与える影響

〇岩重 宏一郎¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大工)

キーワード：Ge、絶縁膜、強誘電体

高速掃引をしているMFISキャパシタのP-V測定では、通常低濃度基板では強誘電体に電界が殆どかからず、分極反転が起きないことが知られている。しかし本研究では、低濃度HZO/Ge MFISキャパシタで界面特性が劣悪な場合のみ強誘電特性が観測された。そこで、界面準位の電荷が応答することで強誘電体に電界が印加されるというモデルを提案し、P-V測定の温度依存性を調査することでモデルの正当性を検証する。