[24p-E201-1~9] Functional Materials for the Online Network Era- toward beyond5G/6G-

[24p-E201-3] GaN crystal growth technology for high performance of high frequency devices

〇Yusuke Mori¹, Masayuki Imanishi¹, Shigeyoshi Usami¹, Masashi Yoshimura¹, Miki Moriyama² (1.Osaka Univ., 2.TOTODA GOSEI)

Keywords:GaN, crystal growth

GaN高周波デバイスでは、GaNエピタキシャル層中の転位や欠陥による電子トラップが原因で変換効率が低下する電流コラプスが課題となる。その解決にはGaNエピタキシャル層の高品質化が不可欠となり、高品質GaNウエハを用いた高周波デバイスが有効となる。大阪大学ではGaNウエハ中の転位密度の低減と大口径化を両立できる結晶育成技術の研究開発を1997年から展開してきた。本講演では、最近の成果に関して報告する。