[24p-E202-1~8] 7.1 X線技術

[24p-E202-3] SiC結晶中のらせん転位で生じるX線光渦の二光束X線トポグラフィーによる検出

〇香村 芳樹¹、大和田 謙二²、澤田 桂¹、水牧 仁一朗³、綿貫 徹²、石川 哲也¹ (1.理化学研究所、2.量子科学技術研究開発機構、3.高輝度光科学研究センター)

キーワード：半導体、X線トポグラフィー

電磁波の波長程度の周期長を有し、周期性に乱れを与えた媒質、X線領域での結晶は、波面の精密制御に利用できる。ここでは、SiC結晶のらせん転位の構造の回折波への転写に注目した。オフブラッグ条件での運動学的な回折により、回折波にX線光渦が生成されることを、シミュレーションで示し、二光束X線トポグラフィー法を用いた実験で実証した。
上記の結果は、次世代半導体の欠陥の特性と分布の評価にも役立つと考えられる。