[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24p-E302-1] InP基板の酸化グラフェンアシストエッチング

〇窪田 航¹、宇都宮 徹¹、一井 崇¹、杉村 博之¹ (1.京大院工)

キーワード：アシストエッチング、InP、酸化グラフェン

半導体表面微細加工技術として貴金属や炭素材料を触媒として用いたアシストエッチングが注目されている．これまで我々は酸化グラフェンを触媒としたSiのアシストエッチングを報告してきた．本発表では新たにInPへの酸化グラフェンアシストエッチング適用を試みた．HCl-HNO3系をエッチング液に用いると，酸化グラフェンがエッチング反応を促進することが判明した．