[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24p-E302-12] 電荷移動型分子動力学法による4H-SiC/SiO₂のNOアニールシミュレーション

〇大内 祐貴¹、佐伯 英紀¹、榊間 大輝²、泉 聡志² (1.富士電機、2.東大工)

キーワード：炭化ケイ素、分子動力学計算

SiC-MOSFETでは、NOによるアニールが、界面準位の低減に有効であるが、詳細なメカニズムは議論が続いている。近年、原子の電荷移動まで考慮した古典分子動力学法により、4H-SiC/SiO₂界面で熱酸化シミュレーションが行われ、面方位に依存した反応障壁や残留C欠陥の生成が報告された。今回、新たにNを加えたSi-O-C-Nからなる電荷移動型の原子間ポテンシャルを作成し、NOアニールを模擬した分子動力学計算を行った結果を報告する。