[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24p-E302-3] [第43回論文奨励賞受賞記念講演] SiC熱酸化抑制プロセスによる高品質SiC/SiO₂界面の形成

〇小林 拓真^1,2、奥田 貴史¹、立木 馨大¹、伊藤 滉二¹、松下 雄一郎²、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.東工大フロンティア)

キーワード：炭化珪素、MOSFET、界面準位