[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24p-E302-7] SiC MOS反転層におけるHall移動度に界面準位の面直位置が与える影響

〇田中 一¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：炭化ケイ素、界面準位、移動度