[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [24p-E302-8] 様々なゲート酸化膜を有するSiC MOSFETにおけるHall移動度の実効垂直電界依存性

〇伊藤 滉二¹、田中 一^1,2、堀田 昌宏^1,3、須田 淳^1,3、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.阪大院工、3.名大院工)

キーワード：SiC、MOS、MOSFET