[24p-E302-1~16] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[24p-E302-9] [第43回論文奨励賞受賞記念講演] 酸窒化膜を有するSi 面4H-SiC MOSFET の反転層内での電荷輸送特性

〇野口 宗隆¹、岩松 俊明¹、網城 啓之¹、渡邊 寛¹、三浦 成久¹、喜多 浩之²、山川 聡¹ (1.三菱電機(株) 先端総研、2.東大院工)

キーワード：SiC、反転層、移動度

SiC MOSFETの反転層における電子移動度に影響を及ぼす電子の散乱機構を解明するため、従来のSiにおける知見を基に、SiC特有のクーロン散乱の影響を反転層のアクセプタ濃度で制御し、他の要因と合わせて散乱因子を分離する手法を考案した。その結果、酸窒化膜を有するSiC MOSFETでは、反転層における電子散乱の主要因はフォノン散乱とクーロン散乱であることを明らかにした。