[24p-F308-1~11] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

△ [24p-F308-4] 低速Arイオン照射Si基板上のAuナノワイヤ低温成長

〇水谷 仁美¹、高廣 克己¹ (1.京工繊大)

キーワード：ナノワイヤ、イオンビーム、結晶

我々は、低速Arイオン照射したSi基板に、Auを蒸着すると、照射部／非照射部の境界のみに、Auナノワイヤ（NW）が成長することを見出した。上記のNW作製では、イオン照射とAu蒸着を別々の真空チャンバーで行っていたため、イオン照射Si基板は、一旦大気にさらされていた。本研究では、系中の不純物を低減するために、イオン照射Si基板を大気にさらすことなくAu蒸着を行うことで、より高純度なNWsの作製を試みた。