[24p-F407-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [24p-F407-9] 温度可変放射光X線回折による熱酸化およびスパッタSiO₂/Si界面の熱特性評価

〇横川 凌^1,2、渡辺 剛³、廣沢 一郎^4,2、富田 基裕⁵、渡邉 孝信⁵、小椋 厚志^1,2 (1.明大理工、2.明大MREL、3.JASRI、4.九州シンクロトロン光研究センター、5.早大理工)

キーワード：Si、XRD、CTR散乱

微細加工したSiは熱伝導率が顕著に低下し、その理由は酸化膜被覆により、界面近傍に無秩序な歪が印加されるためだと理論予測されている。ゆえに酸化膜界面に着目した歪量および熱特性評価は高効率熱電発電デバイス実現に重要であるが界面における熱特性の実測は難しい。我々は放射光XRDで得られる表面・界面に敏感なCTR散乱に着目し、酸化膜界面が温度変化によりどのような振舞いを示すのか検証したので報告する。