[24p-P04-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[24p-P04-1] Enhancing Nucleation on Micro-size GaN point-seed crystals by Utilizing Nitrogen Desorption Properties in the Na-Flux Method

〇(D)Ricksen Tandryo¹, Kosuke Murakami¹, Hitoshi Kubo¹, Masayuki Imanishi¹, Shigeyoshi Usami¹, Mihoko Maruyama¹, Masashi Yoshimura², Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ.)

Keywords:gallium nitride, nucleation, crystal growth

我々はNaフラックス法を用いて複数の微小GaN種結晶（Point seed:PS）をSapphire上に配列したMulti-point seed（MPS）基板上に結合成長させることによって低転位なGaN結晶（転位密度: 10³～10⁵ /cm²）の作製に成功している。更なる低転位化を実現するためには、PS径を小さくすることが有用である一方で、成長が起こりにくくなるという問題点がある。これまでに、初期窒素加圧温度を高温にし、従来の低い成長温度に順次に切り替える新たな成長温度プログラムを導入することにより成長速度を向上させることに成功した。本研究では当該の温度プログラムがPS径の小さいMPS基板上の核発生促進に有用かを検証した。