[24p-P04-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[24p-P04-1] Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小GaN種結晶上の核発生成進

〇(D)リクセン タンドリーヨ¹、村上 航介¹、久保 等¹、今西 正幸¹、宇佐美 茂佳¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志²、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)

キーワード：窒化ガリウム、核発生、結晶成長

我々はNaフラックス法を用いて複数の微小GaN種結晶（Point seed:PS）をSapphire上に配列したMulti-point seed（MPS）基板上に結合成長させることによって低転位なGaN結晶（転位密度: 10³～10⁵ /cm²）の作製に成功している。更なる低転位化を実現するためには、PS径を小さくすることが有用である一方で、成長が起こりにくくなるという問題点がある。これまでに、初期窒素加圧温度を高温にし、従来の低い成長温度に順次に切り替える新たな成長温度プログラムを導入することにより成長速度を向上させることに成功した。本研究では当該の温度プログラムがPS径の小さいMPS基板上の核発生促進に有用かを検証した。