[24p-P04-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[24p-P04-3] Epitaxial Growth of GaN on ScAlMgO₄ substrate using DERI method by RF-MBE

〇Yuya Kuroda¹, Yuichi Wada¹, Seiya Kayamoto¹, Naoki Goto¹, Takashi Fuji¹, Shinichiro Mouri¹, Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:GaN, ScAlMgO4, RF-MBE

ScAlMgO­₄（SAM）はGaNとの格子ミスマッチ、熱膨張係数差がそれぞれ1.8%、9.8%と従来基板に比べて小さく、GaN結晶成長用基板として新たに注目されている。本研究では、RF-MBE法による高品質なInN成長に用いられているDERI（Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation）法をSAM基板上GaN成長に適用し、DERI法のプロセス条件がGaN成長に及ぼす影響について検討を行った。