[24p-P04-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[24p-P04-3] RF-MBE法によるDERI法を用いたScAlMgO₄基板上GaN結晶成長

〇黒田 悠弥¹、和田 邑一¹、栢本 聖也¹、後藤 直樹¹、藤井 高志¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工)

キーワード：窒化ガリウム、ScAlMgO­4、RF-MBE

ScAlMgO­₄（SAM）はGaNとの格子ミスマッチ、熱膨張係数差がそれぞれ1.8%、9.8%と従来基板に比べて小さく、GaN結晶成長用基板として新たに注目されている。本研究では、RF-MBE法による高品質なInN成長に用いられているDERI（Droplet Elimination by Radical-beam Irradiation）法をSAM基板上GaN成長に適用し、DERI法のプロセス条件がGaN成長に及ぼす影響について検討を行った。