[24p-P04-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[24p-P04-7] Evaluation of electrical properties in anodized n-GaN in two-step wet etching method

〇Gaku Kamio¹, Kouki Kaneda¹, Takuya Hirata¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:GaN, anodization

GaN系電子デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、電気化学的に通電したn-GaNを通電後にウェットエッチングする2段階エッチング法を2019年に提案した。この方法における通電領域のn-GaNは被エッチングされる材料であるが、新たなデバイス応用への可能性も念頭に、この通電部分のn-GaNの材料物性を調べることは重要である。今回、通電による陽極酸化により電気伝導特性の変調が可能であることが分かった。